类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
TO-263-7
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基本功能
Vishay威世半导体原厂型号:SQM200N04-1M7L-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 40V 200A TO-263系列:TrenchFETFET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):40V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.7 毫欧 @ 30A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):291nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11168pF @ 20V功率 - 最大值:375W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片)供应商器件封装:TO-263-7SQM200N04-1M7L-GE3 | Vishay代理全新原装现货
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