类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
TO-263
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
Vishay威世半导体原厂型号:SQM100N10-10-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO-263系列:自动, AEC-Q101, TrenchFETFET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 30A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):185nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8050pF @ 25V功率 - 最大值:375W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:TO-263SQM100N10-10-GE3 | Vishay代理全新原装现货
以下产品与SQM100N10-10-GE3或许具有相似功能:
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay