类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
TO-236
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基本功能
Vishay威世半导体原厂型号:SQ2310ES-T1-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 20V 6A SOT23系列:TrenchFETFET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 5A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.5nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):485pF @ 10V功率 - 最大值:2W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:TO-236SQ2310ES-T1-GE3 | Vishay代理全新原装现货
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