类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3
封装:8-PowerWDFN
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基本功能
制造商产品型号:SIZ342ADT-T1-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:TrenchFET? Gen IV零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):15.7A(Ta),33.4A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9.4 毫欧 @ 10A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12.2nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):580pF @ 15V功率-最大值:3.7W(Ta),16.7W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerWDFNSIZ342ADT-T1-GE3 | Vishay代理全新原装现货
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