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    SISS94DN-T1-GE3
    SISS94DN-T1-GE3-Vishay代理全新原装现货
    制造：威世（Vishay）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
    器件封装：PowerPAK? 1212-8S
    SISS94DN-T1-GE3技术资料下载
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    市场上提供SISS94DN-T1-GE3原装现货的威世代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：SISS94DN-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：TrenchFET?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.4A（Ta），19.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 5.4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：5.1W (Ta)，65.8W (Tc)
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerPAK? 1212-8S
  • SISS94DN-T1-GE3 | Vishay代理全新原装现货
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