类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
器件封装:PowerPAK? 1212-8S
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基本功能
制造商产品型号:SISS60DN-T1-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:TrenchFET? Gen IV零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):50.1A(Ta),181.8A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.31 毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):85.5nC @ 10VVgs(最大值):+16V,-12V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3960pF @ 15VFET功能:肖特基二极管(体)功率耗散(最大值):5.1W (Ta),65.8W (Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PowerPAK? 1212-8SSISS60DN-T1-GE3 | Vishay代理全新原装现货
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