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    SI8819EDB-T2-E1
    SI8819EDB-T2-E1-Vishay代理全新原装现货
    制造：威世（Vishay）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
    器件封装：4-MICRO FOOT?（0.8x0.8）
    SI8819EDB-T2-E1技术资料下载
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    市场上提供SI8819EDB-T2-E1原装现货的威世代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：SI8819EDB-T2-E1
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.9A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，3.7V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 1.5A，3.7V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 8V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：650pF @ 6V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：900mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：4-MICRO FOOT?（0.8x0.8）
  • SI8819EDB-T2-E1 | Vishay代理全新原装现货
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