类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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基本功能
制造商产品型号:SI4500BDY-T1-E3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:*零件状态:停产FET类型:N 和 P 沟道,共漏FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):6.6A,3.8A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 9.1A,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-功率-最大值:1.3W工作温度:-安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)SI4500BDY-T1-E3 | Vishay代理全新原装现货
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