类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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基本功能
制造商产品型号：SI2329DS-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：8V25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 5.3A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 4.5VVgs（最大值）：±5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1485pF @ 4VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3（TO-236）SI2329DS-T1-GE3 | Vishay代理全新原装现货以下产品与SI2329DS-T1-GE3或许具有相似功能：
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