类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
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基本功能
制造商产品型号：IRFD9010PBF制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：50V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.1A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 毫欧 @ 580mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：240pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：1W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIPIRFD9010PBF | Vishay代理全新原装现货以下产品与IRFD9010PBF或许具有相似功能：
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