类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
器件封装:4-DFN(8x8)
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基本功能
制造商产品型号:UF3SC065030D8S制造商:UnitedSiC描述:SICFET N-CH 650V 18A 4DFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:SiCFET(共源共栅 SiCJFET)漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):12V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):42毫欧 @ 20A,12V不同Id时Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):43nC @ 12VVgs(最大值):±25V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):179W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:4-DFN(8x8)UF3SC065030D8S | UnitedSiC代理全新原装现货
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