类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
器件封装:8-SOP Advance(5x5)
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:XPH2R106NC,L1XHQ制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):110A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.1mOhm @ 55A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):104nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6900pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):960mW(Ta),170W(Tc)工作温度:175°C安装类型:表面贴装型器件封装:8-SOP Advance(5x5)XPH2R106NC,L1XHQ | 东芝半导体代理全新原装现货
以下产品与XPH2R106NC,L1XHQ或许具有相似功能:
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体