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    TW070J120B,S1Q
    TW070J120B,S1Q-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
    器件封装：TO-3P（N）
    TW070J120B,S1Q技术资料下载
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    市场上提供TW070J120B,S1Q原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：TW070J120B,S1Q
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：*
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 18A，20V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.8V @ 20mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：67nC @ 20V
  • Vgs（最大值）：±25V，-10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 800V
  • FET功能：标准
  • 功率耗散（最大值）：272W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-3P（N）
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