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    TPN6R303NC,LQ
    TPN6R303NC,LQ-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
    器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
    TPN6R303NC,LQ技术资料下载
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    市场上提供TPN6R303NC,LQ原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：TPN6R303NC,LQ
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：U-MOSVIII
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 200μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：700mW（Ta），19W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
  • TPN6R303NC,LQ | 东芝半导体代理全新原装现货
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