类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 33V 27A 8TSON-ADV
8-TSON高级
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:TPCC8076,LQ(O制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 33V 27A 8TSON-ADV系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):33V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):27A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.6 毫欧 @ 13.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 300μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):34nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 10V功率 - 最大值:39W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN供应商器件封装:8-TSON高级TPCC8076,LQ(O | 东芝半导体代理全新原装现货
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