类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B
8-SOP
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:TPC8A03-H(TE12LQM)制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 8.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3430pF @ 10V功率 - 最大值:-安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)TPC8A03-H(TE12LQM) | 东芝半导体代理全新原装现货
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