类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
封装:8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:TPC8213-H(TE12LQ,M制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:停产FET类型:2 N-通道(双)FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):5A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 2.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):11nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):625pF @ 10V功率-最大值:450mW工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)TPC8213-H(TE12LQ,M | 东芝半导体代理全新原装现货
以下产品与TPC8213-H(TE12LQ,M或许具有相似功能:
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体