类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 40V 3.9A VS-6
器件封装:VS-6(2.9x2.8)
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基本功能
制造商产品型号:TPC6006-H(TE85L,F)制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 40V 3.9A VS-6系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:U-MOSIII-H零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):40V25°C时电流-连续漏极(Id):3.9A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):75 毫欧 @ 1.9A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):4.4nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):251pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):700mW(Ta)工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:VS-6(2.9x2.8)TPC6006-H(TE85L,F) | 东芝半导体代理全新原装现货
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