类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS
器件封装:TO-220SIS
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基本功能
制造商产品型号:TK9A60D(STA4,Q,M)制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:π-MOSVII零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):830 毫欧 @ 4.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1200pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):45W(Tc)工作温度:150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-220SISTK9A60D(STA4,Q,M) | 东芝半导体代理全新原装现货
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