类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
器件封装:I-PAK
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基本功能
制造商产品型号:TK8Q65W,S1Q制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:DTMOSIV零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):7.8A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):670 毫欧 @ 3.9A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 300μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):570pF @ 300VFET功能:-功率耗散(最大值):80W(Tc)工作温度:150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:I-PAKTK8Q65W,S1Q | 东芝半导体代理全新原装现货
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