基本功能
制造商产品型号：TK6P65W,RQ制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：DTMOSIV零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.8A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.05 欧姆 @ 2.9A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 180μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：390pF @ 300VFET功能：-功率耗散（最大值）：60W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DPAKTK6P65W,RQ | 东芝半导体代理全新原装现货
