类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
器件封装:TO-247
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:TK28N65W,S1F制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:DTMOSIV零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):27.6A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):110 毫欧 @ 13.8A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.6mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):75nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3000pF @ 300VFET功能:-功率耗散(最大值):230W(Tc)工作温度:150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-247TK28N65W,S1F | 东芝半导体代理全新原装现货
以下产品与TK28N65W,S1F或许具有相似功能:
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体