类别:单端场效应管
规格:MOSFET DTMOSII 600V 20A TO-220AB
TO-220-3
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:TK20E60U,S1X(S制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET DTMOSII 600V 20A TO-220AB系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):600V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):190 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1470pF @ 10V功率 - 最大值:190W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3供应商器件封装:TO-220-3TK20E60U,S1X(S | 东芝半导体代理全新原装现货
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