类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
器件封装:5-DFN(8x8)
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基本功能
制造商产品型号:TK170V65Z,LQ制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:DTMOSVI零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):170 毫欧 @ 9A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 730μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):29nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1635pF @ 300VFET功能:-功率耗散(最大值):150W(Tc)工作温度:150°C安装类型:表面贴装型器件封装:5-DFN(8x8)TK170V65Z,LQ | 东芝半导体代理全新原装现货
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