类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 600V TO220SIS
TO-220SIS
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:TK10A60E,S4X制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 600V TO220SIS系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):600V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V功率 - 最大值:45W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220SISTK10A60E,S4X | 东芝半导体代理全新原装现货
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