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    TJ80S04M3L(T6L1,NQ
    TJ80S04M3L(T6L1,NQ-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
    器件封装：DPAK+
    TJ80S04M3L(T6L1,NQ技术资料下载
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    市场上提供TJ80S04M3L(T6L1,NQ原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：TJ80S04M3L(T6L1,NQ
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：U-MOSVI
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 40A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：158nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：+10V，-20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7770pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DPAK+
  • TJ80S04M3L(T6L1,NQ | 东芝半导体代理全新原装现货
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