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    TC58BYG2S0HBAI6
    TC58BYG2S0HBAI6-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：存储器
    规格：EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67VFBGA
    67-VFBGA
    TC58BYG2S0HBAI6技术资料下载
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    市场上提供TC58BYG2S0HBAI6原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 东芝半导体公司完整型号: TC58BYG2S0HBAI6
  • 制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能总体简述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 系列: Benand
  • 格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
  • 存储器类型: EEPROM - NAND
  • 存储容量: 4G（512M x 8）
  • 速度: 25ns
  • 接口: 并联
  • 电压 - 电源: 1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作温度: -40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳: 67-VFBGA
  • 供应商器件封装: 67-VFBGA（6.5x8）
  • TC58BYG2S0HBAI6 | 东芝半导体代理全新原装现货
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