类别:场效应管阵列
规格:MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
6-UDFN
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:SSM6P47NU,LF(T制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A系列:-FET 类型:2 个 P 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):95 毫欧 @ 1.5A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 10V功率 - 最大值:1W安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-UDFN (2x2)SSM6P47NU,LF(T | 东芝半导体代理全新原装现货
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