类别:场效应管阵列
规格:MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
US6
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:SSM6N7002FUTE85LF制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6系列:-FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):17pF @ 25V功率 - 最大值:300mW安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装:US6SSM6N7002FUTE85LF | 东芝半导体代理全新原装现货
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