类别:FET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
SOT-563
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
东芝半导体公司完整型号: SSM6N15FE(TE85L,F)制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6系列: -FET 类型: 2 个 N 沟道(双)FET 功能: 逻辑电平门漏源极电压(Vdss): 30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100mA不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 4 欧姆 @ 10mA,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): -不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 7.8pF @ 3V功率 - 最大值: 150mW安装类型: 表面贴装封装/外壳: SOT-563,SOT-666供应商器件封装: ES6(1.6x1.6)SSM6N15FE(TE85L,F) | 东芝半导体代理全新原装现货
以下产品与SSM6N15FE(TE85L,F)或许具有相似功能:
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体