类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
器件封装:ES6
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基本功能
制造商产品型号:SSM6K208FE,LF制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):1.9A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):133 毫欧 @ 1A,4V不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):1.9nC @ 4VVgs(最大值):±12V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):123pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):500mW(Ta)工作温度:150°C安装类型:表面贴装型器件封装:ES6SSM6K208FE,LF | 东芝半导体代理全新原装现货
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