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    SSM6J212FE(TE85L,F
    SSM6J212FE(TE85L,F-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：单端场效应管
    规格：MOSFET P-CH 20V 4A ES6
    ES6
    SSM6J212FE(TE85L,F技术资料下载
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    市场上提供SSM6J212FE(TE85L,F原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 东芝半导体公司完整型号：SSM6J212FE(TE85L,F
  • 制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 4A ES6
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40.7 毫欧 @ 3A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.1nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：970pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）
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