类别:单端场效应管
规格:MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
US6
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:SSM6J08FUTE85LF制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A US6系列:-FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.3A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):180 毫欧 @ 650mA, 4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):370pF @ 10V功率 - 最大值:300mW安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装:US6SSM6J08FUTE85LF | 东芝半导体代理全新原装现货
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