类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
TSM
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:SSM3K318T(T5L,F,T)制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.5A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):107 毫欧 @ 2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):235pF @ 30V功率 - 最大值:700mW安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:TSMSSM3K318T(T5L,F,T) | 东芝半导体代理全新原装现货
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