类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
器件封装:VESM
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基本功能
制造商产品型号:SSM3J66MFV,L3F制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET P-CH 20V 800MA VESM系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:U-MOSVI零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):800mA(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.2V,4.5V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):390毫欧 @ 800mA,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):1.6nC @ 4.5VVgs(最大值):+6V,-8V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):100pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):150mW(Ta)工作温度:150°C安装类型:表面贴装型器件封装:VESMSSM3J66MFV,L3F | 东芝半导体代理全新原装现货
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