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    RN4909FE(TE85L,F)
    RN4909FE(TE85L,F)-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：阵列﹐预偏压式晶体管
    规格：TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
    ES6
    RN4909FE(TE85L,F)技术资料下载
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    市场上提供RN4909FE(TE85L,F)原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 东芝半导体公司完整型号：RN4909FE(TE85L,F)
  • 制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列：-
  • 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：47k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：22k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 频率 - 跃迁：200MHz
  • 功率 - 最大值：100mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装：ES6
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