类别:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
规格:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
封装:SOT-553
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基本功能
制造商产品型号:RN2709JE(TE85L,F)制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置零件状态:有源晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)电流-集电极(Ic)(最大值):100mA电压-集射极击穿(最大值):50V电阻器-基极(R1):47 千欧电阻器-发射极(R2):22 千欧不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250μA,5mA电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)频率-跃迁:200MHz功率-最大值:100mW安装类型:表面贴装型封装:SOT-553RN2709JE(TE85L,F) | 东芝半导体代理全新原装现货
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