类别:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
规格:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
封装:SOT-563,SOT-666
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基本功能
制造商产品型号:RN1966FE(TE85L,F)制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置零件状态:停产晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)电流-集电极(Ic)(最大值):100mA电压-集射极击穿(最大值):50V电阻器-基极(R1):4.7 千欧电阻器-发射极(R2):47 千欧不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250μA,5mA电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)频率-跃迁:250MHz功率-最大值:100mW安装类型:表面贴装型封装:SOT-563,SOT-666RN1966FE(TE85L,F) | 东芝半导体代理全新原装现货
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