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    MT3S111P(TE12L,F)
    MT3S111P(TE12L,F)-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
    规格：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
    封装：TO-243AA
    MT3S111P(TE12L,F)技术资料下载
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    市场上提供MT3S111P(TE12L,F)原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：MT3S111P(TE12L,F)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压-集射极击穿（最大值）：6V
  • 频率-跃迁：8GHz
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.25dB @ 1GHz
  • 增益：10.5dB
  • 功率-最大值：1W
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-243AA
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