类别:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
规格:RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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基本功能
制造商产品型号:HN3C10FUTE85LF制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频零件状态:停产晶体管类型:2 NPN(双)电压-集射极击穿(最大值):12V频率-跃迁:7GHz噪声系数(dB,不同f时的典型值):1.1dB @ 1GHz增益:11.5dB功率-最大值:200mW不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V电流-集电极(Ic)(最大值):80mA工作温度:-安装类型:表面贴装型封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363HN3C10FUTE85LF | 东芝半导体代理全新原装现货
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