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    GT30J121(Q)
    GT30J121(Q)-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    规格：IGBT 600V 30A 170W TO3PN
    封装：TO-3P-3，SC-65-3
    GT30J121(Q)技术资料下载
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    市场上提供GT30J121(Q)原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：GT30J121(Q)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：*
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：60A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，30A
  • 功率-最大值：170W
  • 开关能量：1mJ（开），800μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：-
  • 25°C时Td（开/关）值：90ns/300ns
  • 测试条件：300V，30A，24 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-3P-3，SC-65-3
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