类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 400V 1W 8-SOIC
封装:8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)
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基本功能
制造商产品型号:GT10G131(TE12L,Q)制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:IGBT 400V 1W 8-SOIC系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):400V电流-集电极(Ic)(最大值):-电流-集电极脉冲(Icm):200A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 4V,200A功率-最大值:1W开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:-25°C时Td(开/关)值:3.1μs/2μs测试条件:-反向恢复时间(trr):-工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)GT10G131(TE12L,Q) | 东芝半导体代理全新原装现货
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