类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
TO-220SIS
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:2SK3798(Q,M)制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):900V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 25V功率 - 最大值:40W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220SIS2SK3798(Q,M) | 东芝半导体代理全新原装现货
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