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    2SK3798(Q,M)
    2SK3798(Q,M)-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：单端场效应管
    规格：MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
    TO-220SIS
    2SK3798(Q,M)技术资料下载
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    市场上提供2SK3798(Q,M)原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 东芝半导体公司完整型号：2SK3798(Q,M)
  • 制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：900V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 2A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：40W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装：TO-220SIS
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