类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 900V 1A DP
器件封装:DP
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基本功能
制造商产品型号:2SK2845(TE16L1,Q)制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 900V 1A DP系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):900V25°C时电流-连续漏极(Id):1A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9 欧姆 @ 500mA,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):40W(Tc)工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:DP2SK2845(TE16L1,Q) | 东芝半导体代理全新原装现货
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