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TPS1120DR
TPS1120DR
制造:
TI(德州仪器)
类别:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
TPS1120DR技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:TPS1120DR
制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 个 P 沟道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):15V
25°C时电流-连续漏极(Id):1.17A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.45nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
功率-最大值:840mW
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
TPS1120DR | TI代理全新原装现货
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