类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
封装：8-PowerVDFN
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基本功能
制造商产品型号：CSD87503Q3E制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）共源FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13.5 毫欧 @ 6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17.4nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1020pF @ 15V功率-最大值：15.6W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFNCSD87503Q3E | TI代理全新原装现货以下产品与CSD87503Q3E或许具有相似功能：
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