类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
封装：8-PowerLDFN
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基本功能
制造商产品型号：CSD87355Q5D制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET 2N-CH 30V 8LSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.7nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1860pF @ 15V功率-最大值：12W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerLDFNCSD87355Q5D | TI代理全新原装现货以下产品与CSD87355Q5D或许具有相似功能：
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