基本功能
制造商产品型号：CSD25302Q2制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET P-CH 20V 5A 6SON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：49 毫欧 @ 3A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.4nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：6-SONCSD25302Q2 | TI代理全新原装现货
