类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
器件封装:9-DSBGA
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基本功能
制造商产品型号:CSD25202W15制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)描述:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:NexFET?零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):26 毫欧 @ 2A,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):7.5nC @ 4.5VVgs(最大值):-6V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1010pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):500mW(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:9-DSBGACSD25202W15 | TI代理全新原装现货
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