类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
器件封装：8-VSON（3.3x3.3）
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基本功能
制造商产品型号：CSD19537Q3T制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），83W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-VSON（3.3x3.3）CSD19537Q3T | TI代理全新原装现货以下产品与CSD19537Q3T或许具有相似功能：
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